买卖IC网 >> 产品目录49262 >> NIC9N05ATS1 IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE datasheet 分离式半导体产品
型号：

NIC9N05ATS1

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
标准包装 3,500
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 52V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 95 毫欧 @ 12A，12V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 250pF @ 40V
功率 - 最大 1.74W
安装类型 *
封装/外壳 *
供应商设备封装 *
包装 *
相关资料
属性
链接
代理商 NIC9N05ATS1
NIC9N05TS1
NICO250-BB2248
NID01B
NID30S24-05
NID30S24-12
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129911934（手机优先微信同号） 史仙雁
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
深圳市宝芯创电子有限公司 0755-83228629 陈先生
北京首天伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 小苏
深圳市荣泽信电子科技有限公司 18028731859 荣泽信－晏S
北京首天伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
  • NIC9N05ATS1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    3,500 1.3284 4649.4